| プログラム |
| 5月29日 |
| 開会（10:00-10:20） |
| 10:00 |
文部科学省及び経済産業省プロジェクトの概要と成果 |
荒川泰彦（東大NCRC） |
| フォトニック結晶と光制御（10:20-12:00） |
| 10:20 |
フォトニック結晶による光子制御-高Qナノ共振器/自然放出制御- |
野田 進（京大工） |
| 10:40 |
アクティブ/パッシブ集積フォトニック結晶スラブにおけるレーザと光増幅器 |
馬場俊彦（横浜国大工） |
| 11:00 |
フォトニック結晶と量子ドット・MEMSの融合による光電子制御 |
岩本 敏（東大NCRC） |
| 11:20 |
フォトニック結晶による集積型光ネットワークノードチップ |
山田博仁（NEC） |
| 11:40 |
フォトニック結晶の群速度・分散制御とその素子応用 |
勝山俊夫（東大NCRC、日立） |
| ポスター発表（12:00-13:30） |
| 量子ドット及び関連ナノ構造の形成（13:30-14:50） |
| 13:30 |
InAs量子ドット成長の進展とその場STM観察による成長メカニズム解析 |
塚本史郎（東大NCRC） |
| 13:50 |
高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御 |
山口浩一（電通大工） |
| 14:10 |
GaInNAs系量子ドットの成長とその応用 |
櫛部光弘（東大NCRC、東芝） |
| 14:30 |
金属ナノ粒子のインクジェット印刷と有機トランジスタへの応用 |
染谷隆夫（東大工） |
| 休憩（14:50-15:00） |
| 量子ドットの物性制御（15:00-16:15） |
| 15:00 |
量子計算のための単一スピン検出とスピン量子ビット |
樽茶清悟（東大工） |
| 15:20 |
ナノギャップ電極による単一量子ドット・単一分子を介した伝導のプロービング |
平川一彦（東大生研） |
| 15:40 |
KFMによるナノ構造の電位評価 |
高橋琢二（東大生研） |
| 16:00 |
単一GaN量子ドットの光電子物性制御 |
中岡俊裕（東大NCRC） |
| 休憩（16:15-16:30） |
| 量子ナノデバイスの展開（16:30-18:00） |
| 16:30 |
量子情報とナノ光制御（チュートリアル講演） |
山本喜久（Stanford大） |
| 17:10 |
高性能量子ドットレーザと量子ドット光増幅器 |
菅原 充（QDL、富士通） |
| 17:30 |
量子暗号通信に向けた通信用単一光子発生器 |
臼杵達也（東大NCRC、富士通） |
| 17:50 |
室温動作シリコン単電子トランジスタ |
平本俊郎（東大生研） |
| 閉会（18:10-18:15） |
| 18:10 |
閉会挨拶 |
榊 裕之（東大生研） |
| 懇親会（18:30-20:00） |
| ポスター発表題目 |
| P-1 |
InAs/GaInAsSb量子ドットレーザへ向けた最適成長条件の探索
松浦哲也, 宮本智之, 小山二三夫
東京工業大学 |
| P-2 |
Sb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
吉田剛之, 太田雅彦, 山口浩一
電気通信大学 |
| P-3 |
第一原理計算によるGaAs(001)基板上のGaSb 成長の研究
石井晃1，藤原勝敏1, 戎崎俊一2
鳥取大学1，理化学研究所2 |
| P-4 |
MBEによるGaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs 量子ドットの面内自己配列
菅藤徹, 山口浩一
電気通信大学 |
| P-5 |
Sb照射GaAs基板上の高密度InAs QDsのMBE成長
渡邉克之, 熊谷直人, 中田義昭, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-6 |
Sb照射GaAs(001)層上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察
角田直輝1,2, 塚本史郎1, 山口浩一2, 荒川泰彦1
東京大学1, 電気通信大学2 |
| P-7 |
As無し高温表面クリーニング法を施したGaAs(001)基板表面の解析
磯村暢宏1,2, 塚本史郎1, 飯塚完司2, 荒川泰彦1
東京大学1, 日本工業大学2 |
| P-8 |
InAs/GaAs量子ドット成長過程のファセット形成とサイズ分布
工藤卓也, 坂本光優, 菊野美緒, 水野博司, 喜多隆, 和田修
神戸大学 |
| P-9 |
AlAsコーティングによるInAs量子ドット混晶化の抑制
横田大，飯塚完司
日本工業大学 |
| P-10 |
MBE成長によるp型変調ドープInAs量子ドットのPL評価
熊谷直人, 渡邉克之, 中田義昭, 岩本敏, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-11 |
自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
築地伸和, 山口浩一
電気通信大学 |
| P-12 |
MOCVD成長GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの発振波長
橋本玲1,2,櫛部光弘1,2,江崎瑞仙1,2,波多腰玄一1,2,西岡政雄1,荒川泰彦1
東京大学1, 東芝 研究開発センター2 |
| P-13 |
Mn照射InAs量子ドットの作製
永原靖治, 塚本史郎, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-14 |
高効率単一光子光源に向けた長波長帯低密InAs量子ドットの形成とその光学特性
イヘリン, Denis Guimard, 野村政宏, 石田悟己, 岩本敏, 荒川泰彦
東京大学
|
| P-15 |
超高速光−光デバイス集積化へ向けた量子ドットのメタルマスク選択成長
尾崎信彦1, 高田賀章1, 大河内俊介2, 杉本喜正1,3, 池田直樹1,3, 浅川潔1
筑波大学 先端学際領域研究センター1, NEC 基礎・環境研2, 産総研 超高速光信号処理デバイス研究ラボ3 |
| P-16 |
印刷プロセスを利用した有機電界効果トランジスタの作製
野口儀晃, , 関谷毅, 桜井貴康, 染谷隆夫
東京大学 |
| P-17 |
ナノ共振器を有する可視発光有機フォトニック結晶
北村雅季, 岩本敏, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-18 |
MOVPE選択成長を用いた化合物半導体二次元フォトニック結晶スラブの作製と評価
竹田潤一郎、楊林、本久順一、福井孝志
北海道大学 |
| P-19 |
高Q値（〜100 万）ナノ共振器のQ値決定要因に関する考察
浅野卓, 野田進
京都大学 |
| P-20 |
マイクロマニピュレーション法による1.5μm帯３次元フォトニック結晶の集積配置
青木画奈1，宮崎英樹2，岩本敏1, Denis Guimard1, 館林潤1, 西岡政雄1, 荒川泰彦1
東京大学1，物質・材料研究機構2 |
| P-21 |
フォトニック結晶アレイを用いた小型・高精度DOP モニタ
青山勉1, 本間洋1, 佐藤尚1、千葉貴史3, 川上彰二郎1,2
フォトニックラティス1, 仙台応用情報学研究振興財団2 , 日立電線3 |
| P-22 |
フォトニック結晶によるスペクトルイメージング用モザイク波長フィルター
大寺康夫1, 小貫哲平1, 井上喜彦2, 川上彰二郎2
東北大学先進医工学研究機構1, フォトニックラティス2 |
| P-23 |
フォトニック結晶アレイを用いた偏光計測モジュールとエリプソメータ
佐藤尚1, 荒木武1, 田所利康1, 津留俊英2, 川上彰二郎1,2
フォトニックラティス1, 仙台応用情報学研究振興財団2 |
| P-24 |
フォトニック結晶偏光子を用いた偏光イメージングデバイスの開発
川嶋貴之1, 佐藤尚1, 本間洋1, 川上彰二郎1,2, 太田晋一3, 青木孝文4
フォトニックラティス1, 仙台応用情報学研究振興財団2, 宮城県産業技術総合センター3, 東北大学4 |
| P-25 |
フォトニック結晶型偏光縦スリット： 機能と応用
川上彰二郎1,2, 井上喜彦2, 川嶋貴之2, 小形哲也3, 横井研哉3
仙台応用情報学研究振興財団1, フォトニックラティス2, 株式会社リコー3 |
| P-26 |
GaN量子ドットフォトニック結晶の作製と評価
有田宗貴, 李寧, 岩本敏, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-27 |
フォトニック結晶による再構築可能な光合分波路
儲涛1, 山田博仁1,2, 五明明子1,2, 牛田淳1,2, 石田悟己3, 荒川泰彦3
光産業技術振興協会1, NEC 基礎・環境研究所2, 東京大学3 |
| P-28 |
Si/ポリマー一次元フォトニック結晶の光透過特性
細見和彦1-3，徳島正敏4, 山田宏治1，五島滋雄1-3, 勝山俊夫1,2，山田博仁2,4，荒川泰彦1
東京大学1, 光産業技術振興協会2, 日立製作所中央研究所3, NEC 基礎・環境研究所4 |
| P-29 |
三角格子空孔型フォトニック結晶のスラブ導波路モードギャップを利用した光合分波器
五明明子1,2, 牛田淳1,2, 山田博仁1,2, 儲涛2, 石田悟己3, 荒川泰彦3
NEC 基礎・環境研究所1, 光産業技術振興協会2, 東京大学3
|
| P-30 |
誘電体積層自立膜を用いた一次元フォトニック結晶分散補償素子の開発
五島滋雄1-3, 細見和彦1-3, 勝山俊夫1,2, 荒川泰彦1
東京大学1, 光産業技術振興協会2, 日立製作所中央研究所3 |
| P-31 |
Si 細線導波路による方向性結合器の理論解析 ?厳密解と近似解の比較-
牛田淳, 五明明子, 徳島正敏
NEC 基礎・環境研究所 |
| P-32 |
マイクロディスクとフォトニック結晶におけるフォトニック分子形成
馬場俊彦, 石井理, 野崎謙悟
横浜国立大学 |
| P-33 |
フォトニック結晶ナノ共振器を用いた量子ドットの高効率選択励起
野村政宏, 岩本敏, 中岡俊裕, 西岡政雄, 石田悟己, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-34 |
２次元チャネル近傍に量子ドットを有するFET における低周波伝導揺らぎ
柴田憲治, 川津琢也, 秋山芳広、榊裕之
東京大学 |
| P-35 |
モード可変量子細線中での量子ドットの電気伝導特性とスピン選択性について
日達研一1, 山本倫久1,2, 樽茶清悟1,3
東京大学1, SORST-JST2, ICORP-JST3 |
| P-36 |
量子ドット励起子の静電双極子モーメントのシュタルク分光による決定法
近藤直樹, 大森雅登, 榊裕之
東京大学 |
| P-37 |
19F:ZnSe の単一励起子分光
佐中薫1,2, Kai-Mei Fu1, Stephan Goetzinger1, Alexander Pawlis3 山本喜久1,4
スタンフォード大学1, 東京大学2, パタボーン大学3, 国立情報学研究所4 |
| P-38 |
ZnSe-Te 系におけるTe 等電子中心とZnTe 量子ドットからの発光
定昌史，遠藤礼暁，熊野英和，末宗幾夫
北海道大学 |
| P-39 |
ナノギャップ電極間のInAs ドットにおける近藤効果の観測
五十嵐悠一1, Minkyung Jung1, 山本倫久1, 大岩顕1, 町田友樹1, 平川一彦1, 樽茶清悟1,2
東京大学1, JST2 |
| P-40 |
単一GaN量子ドットにおける量子閉じ込めシュタルク効果
中岡俊裕, 加古敏, 荒川泰彦
東京大学 |
| P-41 |
縦型半導体二重量子ドットにおける電荷検出および核磁場効果
小寺哲夫1, 北村陽介1, 岩井泰章1, 大野圭司2,3, 樽茶清悟1,4
東京大学1, 理化学研究所2, SORST-JST3, ICORP-JST4 |
| P-42 |
高密度量子ドット集団の発光スペクトルに対するドット間キャリア移動の影響
鳥井康介, 大森雅登, 榊裕之
東京大学 |
| P-43 |
量子ドットにおける単一光子―単一電子スピン転写に関する研究
大岩顕1,2, 樽茶清悟1,3
東京大学1, SORST-JST2, ICORP-JST3 |
| P-44 |
1.5 μｍ帯単一光子発生に向けた電流駆動単一ドットデバイス
宮澤俊之1，奥村滋一2, 竹本一矢2, 廣瀬真一2, 高津求2, 臼杵達哉1, 横山直樹2, 荒川泰彦1
東京大学1,富士通研究所2 |
| P-45 |
ホーン型単一光子源の素子構造設計
高津求1, 廣瀬真一1, 竹本一矢1, 臼杵達哉2, 横山直樹1, 岩本敏2, 荒川泰彦2
富士通研究所1、東京大学2 |
| P-46 |
歪み制御したInAs/GaAsQDの偏光光学利得特性
中谷浩彰1, 田村暢啓1, Zhang Yuanchang1, 喜多隆1, 和田修1, 江部広治2, 中田義昭2, 荒川泰彦2, 菅原充3
神戸大学1, 東京大学2, 富士通研究所3 |
| P-47 |
InAs/GaAsコラム型量子ドットの偏光特性の積層数依存性
斎藤敏夫1, 硴塚孝明2, 江部広治1, 菅原充3, 荒川泰彦1
東京大学1, NTTフォトニクス研究所2,富士通研究所3 |
| P-48 |
コラムナ量子ドット半導体光増幅器のTM 偏波利得評価
安岡奈美1,2, 河口研一1,2, 江部広治4, 秋山知之3, 須藤久男1,2, 江川 満1,2, 植竹理人3, 喜多隆5, 菅原充1,2, 和田修5, 荒川泰彦4
富士通1, 光産業技術振興協会2, 富士通研究所3,東京大学4, 神戸大学5 |
| P-49 |
自己形成量子ドットレーザにおける離調の効果
硴塚孝明1, 斎藤敏夫2，荒川泰彦2
NTTフォトニクス研究所1,東京大学2 |
| P-50 |
1.3μm帯pドープ量子ドットレーザの20〜90℃の温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作
石田 充1, 羽鳥伸明1, 大坪孝二2,4, 山本剛之3,中田義昭1, 江部広治1, 菅原 充2,4, 荒川泰彦1
東京大学1, 富士通2, 富士通研究所3, 光産業技術振興協会4
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| P-51 |
垂直回折格子型1.3 μm帯量子ドットDFBレーザの作製
羽鳥伸明1, 松田学2, 4, 山本剛之3, 中田義昭1, 江部広治1, 菅原充2, 4, 荒川 泰彦1
東京大学1, 富士通2, 富士通研究所3, 光産業技術振興協会4 |
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