第20回NCRCプロジェクト研究討論会

日時:2004 年 11月 1日(月)
場所:東京大学 先端科学技術研究センター13号館 教授会室

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東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター(NCRC)では、文部科学省世界最先端IT国家実現重点研究開発プロジェクト「光・電子デバイス技術の開発」および経済産業省高度情報基盤プログラム「フォトニックネットワークデバイス技術開発プロジェクト」の推進活動のひとつとして、NCRC研究討論会を開催しております。この討論会は公開を原則としております。参加ご希望の方は、ご氏名、ご所属、職名を記入の上、NCRC(ncrc@iis.u-tokyo.ac.jp)宛に開催日2日前までにお知らせ下さるようお願い致します。

東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター長
荒川 泰彦

プログラム
11月1日
13:00- 開会挨拶 荒川 泰彦(東京大学)
 -14:30 Slow light in semiconductors and very high speed (50 GHz) VCSELs Prof. Connie J. Chang-Hasnain
( UC Burkley)

要旨
In this talk, I will provide an overview of the research activities in my group at Berkeley. I would also like to make a brief introduction of a newly funded DARPA opto center, Center for Optoelectronic Nanostructured SemiconductoR Technologies(CONSRT), founded by 9 co-PIs from 5 other universities with researchagenda focused on novel nanomaterials and their unique applications to devices. I will discuss two projects in my group. The first project involves the use of semiconductor quantum wells and dots to slow down the group velocity of optical signals. We will discuss our theoretical calculation of slow down requirements on emiconductor materials. We will show the first experimental measurement of a slow down factor of 31,000 in semiconductor quantum wells. We will also discuss the design all-optical buffer and storage in semiconductor materials, promising for ultrahigh throughput all-optical networks and other applications. The second one involves greatly enhanced high speed performance of directly modulated VCSELs under optical injection locking. We recently show that both spur-free dynamic range and the relaxation oscillation frequency of a directly modulated VCSEL can be greatly improved with injection locking. A directly modulated VCSEL with 7GHz speed is seen to increase to 50GHz and above under strong injection locking condition.