第28回NCRCプロジェクト研究討論会

日時:2005 年 9月 28日(水)
場所:東京大学 先端科学技術研究センター13号館 教授会室

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東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター(NCRC)では、文部科学省世界最先端IT国家実現重点研究開発プロジェクト「光・電子デバイス技術の開発」および経済産業省高度情報基盤プログラム「フォトニックネットワークデバイス技術開発プロジェクト」の推進活動のひとつとして、NCRC研究討論会を開催しております。この討論会は公開を原則としております。参加ご希望の方は、ご氏名、ご所属、職名を記入の上、NCRC(ncrc@iis.u-tokyo.ac.jp)宛に開催日2日前までにお知らせ下さるようお願い致します。

東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター長
荒川 泰彦

プログラム テーマ「量子ドット形成技術の最近の展開」
9月28日
13:30- 開会挨拶 荒川 泰彦(東京大学)
Sbを用いた高密度InAs量子ドット形成 山口 浩一(電気通信大学電子工学科光エレクトロニクス講座)
N、Sbを添加したInAs系量子ドットの形成特性 宮本 智之(東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター)
歪み補償を用いた高密度InAs量子ドット形成 赤羽 浩一(情報通信研究機構基礎先端部門光エレクトロニクスグループ)
A2分子線と組成傾斜歪み緩和層を用いた高密度InAs量子ドット形成 菅谷 武芳、天野 健、小森 和弘(産業技術総合研究所光技術研究部門光電子制御デバイスグループ)
InAs/GaAs quantum dots formation by MOCVD with increased dot density and enhanced PL intensity Denis Guimard (NCRC, IIS, Univ.Tokyo)
-18:00
InAs量子ドット形成メカニズムの解明に向けて 塚本 史郎(東京大学生産技術研究所ナノエレクトロニクス連携研究センター)