平成16年度

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量子ドット形成技術基盤開発関係
<学術雑誌>
1

M.Pristovsek, S.Tsukamoto: In situ study of low-temperature growth and Mn, Si, Sn doping of GaAs (0 0 1) in molecular beam epitaxy: Journal of Crystal Growth, vol.265, pp.425-433, (2004)

2

O.Pulci, K.Fleischer, M.Pristovsek, S.Tsukamoto, R.Del Sole and W.Richter: Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110): Journal of Physics: Condensed Matter, vol.16, pp.S4367-S4374, (2004)

3

N.Oyama, A.Ohtake, S.Tsukamoto, N.Koguchi, and T.Ohno: Proposal of Selective Growth Technique Using Periodic Strain Field Caused by Misfit Dislocations: Japanese Journal of Applied Physics, vol. 43, pp.L 1422-L 1424, (2004)

4

M. Kitamura, T. Imada, S. Kako and Y. Arakawa: Time-of-Flight Measurement of Lateral Carrier Mobility in Organic Thin Films: Jpn. J. Appl. Phys., 43, 4B, 2326-2329 (2004)

5

S.K. Park, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa: Formation of ultra high-density InAs/AlAs quantum dots by metal organic chemical vapor deposition: Appl. Phys. Lett. 84 no. 11 pp. 1877-1879 (2004)

6

S.K. Park, J. Tatebayashi, T. Nakaoka, T. Sato, Y.J. Park, and Y. Arakawa: Enhanced Optical Porperties of High-Density (>1011/cm2) InAs/AlAs Quantum Dots by Hydrogen Passivation: Jpn. J. Appl. Phys. vol. 43, no. 4B, 2118-2121(2004)

7

Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto, Masao Nishioka, and Yasuhiko Arakawa: Narrow photoluminescence linewidth (< 17 meV) from highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition: Applied Physics Letters, 84, 15, 2817-2819 (2004)

8

M. Kudo, T. Mishima, S. Iwamoto, T. Nakaoka, and Y. Arakawa: Long-Wavelength Luminescence from GaSb Quantum Dots Grown on GaAs Substrates: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanosrtructures E 21, 275 (2004)

9

染谷隆夫: 「ユビキタス情報社会で期待される大面積センサーと有機トランジスタ」: 技術情報誌「TELECOM FRONTIER」, 第第43号(5月20日発行), pp.27-32, (2004)

10

S.K. Park, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa: Effects of InGaAs Insertion Layer on the Properties of High-Density InAs/AlAs Quantum Dots: Jpn. J. Appl. Phys.,43,6B,3828-3830 (2004)

11

Toshio Takayama, Masatoshi Kitamura, Yasushi Kobayashi, Yasuhiko Arakawa, Kazuaki Kudo: Soluble Polymer Complexes Having AlQ3-Type Pendent Groups: Macromolecular Rapid Communications, 25, 1171-1174 (2004)

12

K. Hoshino, S. Kako, and Y. Arakawa: Formation and optical properties of stacked GaN self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition: Applied Physics Letters, 85, 1262-1264 (2004)

13

K. Hoshino and Y. Arakawa: UV photoluminescence from GaN self-assembled quantum dots on AlxGa1-xN surfaces grown by metalorganic chemical vapor deposition: Physica Status Solidi (c), 1, 2516-2519 (2004)

14

N. Kamata, H. Klausing, F. Fedler, D. Mistele, J. Aderhold, O. K. Semchinova, J. Graul, T. Someya and Y. Arakawa: Effect of Modulation-Doping on Luminescence Properties of Plasma Assisted MBE-Grown GaN/AlGaN Quantum Well: The European Phys. J. -Appl. Phys., 27, 271-273, 2004

15

Tao Yang, Shiro Tsukamoto, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, and Yasuhiko Arakawa: Improvement of the uniformity of self-assembled InAs quantum dots grown on InGaAs/GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition: Applied Physics Letters, 85, 14, 2753-2755 (2004)

16

T.Yang, S.Tsukamoto, J.Tatebayashi, M.Nishioka, and Y.Arakawa: Improvement of the uniformity of self-assembled InAs quantum dots grown on InGaAs/GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition: Applied Physics Letters, vol.85, pp.2753-2755, (2004)

17

K. Hoshino and Y. Arakawa: Formation of high-density GaN self-assembled quantum dots by MOCVD: Jounal of Crystal Growth, 272, 161-166 (2004)

18

M. Kudo, T. Nakaoka, S. Iwamoto  and Y. Arakawa: InAsSb quantum dots grown on GaAs substrates by molecular-beam epitaxy: Japanese Journal of Applied Physics Vol. 44, No. 1, pp.L45-L47(2004)

19

Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto, Yasuhiko Arakawa: Highly uniform self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 ?m by metalorganic chemical vapor deposition: Physica E, 26, 77-80 (2005)

20

Se-Ki Park, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa: InAs/AlAs Quantum Dots with InGaAs Insertion Layer: Dependence of the Indium Composition and the Thickness: Physica E 26 p138-142 (International Conference on Quantum Dots, Bahnf, Canada) (2004)

21

荒川泰彦、塚本史郎: 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望−量子ドットを中心にして−: 応用物理, 第74巻, 第3号, pp. 293-306, (2005)

22

Masatoshi Kitamura, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa: Enhanced Luminance Efficiency from Organic Light-Emitting Diodes with Two-Dimensional Photonic Crystal: Jpn. J. Appl. Phys. 44, 4B, 2844-2848 (2005)

23

Shingo Iba, Tsuyoshi Sekitani, Yusaku Kato, and Takao Someya: Control of threshold voltage of organic field-effect transistors with double gate structures : Applied Physics Letters, to be published


<国際会議>
1

Se-Ki Park, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa: InAs/AlAs Quantum Dots with InGaAs Insertion Layer: Dependence of the Indium Composition and the Thickness: International Conference on Quantum Dots, Bahnf, Canada (Physica E 26 p138-142)(2004)

2

Tao Yang, Jun Tatebayashi, Shiro Tsukamoto and Yasuhiko Arakawa: A Narrow Photoluminescence Linewidth (< 17 meV) from Highly Uniform Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots: Quantum Dots 2004, TP1, p. 85, May 10-13, 2004, Banff, Canada (2004)

3
Invited, Plenary

Y. Arakawa: Progress in growth and optical properties of GaN-based quantum dots: International Conference on Metal Organic Vapor Epitaxy 2004, Hawai, USA (2004)

4

K. Hoshino and Y. Arakawa: Formation of High-density (>1.5x10^11 /cm^2) GaN self-assembled quantum dots by MOCVD: The Twelfth International conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, p. 9, Hawaii,USA(2004)

5

Tao Yang, Shiro Tsukamoto, Jun Tatebayashi, Masao Nishioka, and Yasuhiko Arakawa: Controlling the uniformity of self-assembled InAs/GaAs quantum dots by a combined GaAs/InGaAs strained buffer layer: 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (16th IPRM),TuB2-4, pp. 81-84, May 31-June 4, 2004, Kagoshima, Japan (2004)

6
Invited

Y. Arakawa: Progress in fabrication and optical properties of GaN-based quantum dots: 4th International Conference on Physics of Light Matter, St. Persburg, Russia (2004)

7

M. Kudo, T. Nakaoka, S. Iwamoto and Y. Arakawa: Self-assembled InAsSb quantum dots grown on GaAs substrates by molecular-beam epitaxy: 16th Int. Conf. InP and Related Mater., FB1-4, p.687, Kagoshima (2004)

8
Invited

S.Tsukamoto, G.R.Bell, Y.Arakawa: In-situ Scanning Tunneling Microscopy Observation of InAs Quantum Dots on GaAs(001) during Molecular Beam Epitaxy Growth: Sixteenth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM’04), TuB-2-1, pp.68-73, Kagoshima, Japan (2004)

9

T.Fukuda, J.Tatebayashi, M.Nishioka, Y.Arakawa: A very narrow photoluminescence broadening(< 16 meV) from 〜1.5 ?m self-assembled InAs quantum dots at room temperature: The abstract of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, pp. 162, J5 110, Flagstaff, USA (2004)

10
Inivted, Plenary

Y. Arakawa: Advaces in Semicondutor Nanostructures for Ubiquitous Communication Society: 2004 International Nanotech Symposium (NANO Korea 2004)

11
Invited

Y. Arakawa: Progress in fabrication and optical properties of GaN-based quantum dots: Fourth IEEE Conference on Nanotechnology, Munic, Germany (2004)

12

S. Tsukamoto, G.R.Bell, A.Ishii, K.Ono, and Y.Arakawa: Atomic-structure study of InAs wetting layer between InAs Quantum Dots on GaAs(001) surface by in situ STM placed inside MBE growth chamber: The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, THP18, p.421-422, Edinburgh, Scotland, UK (2004)

13

Masatoshi Kitamura, Satoshi Iwamoto and Yasuhiko Arakawa: Enhanced Luminance Efficiency from Organic Light-Emitting Diodes with 2D Photonic Crystal: 2004 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, September 15-17, A-4-1, p160-161, Tokyo, Japan (2004)

14

C. O. Tang, M. Kitamura, and Y. Arakawa: Grain size dependence of field-effect mobility in pentacene-based thin-film transistors: International Conference on Solid State Devices and Materials 2004, F-9-5, Tokyo, Japan (2004)

15

T.Someya: Organic transistor integrated circuits for large-area electronics applications: COE International Symposium on Applied Physics on Strong Correlation, Takeda Hall, University of Tokyo, Tokyo: 2004

16
Invited

S.Tsukamoto and Y.Arakawa: Progress in growth of In-As-based quantum dots and STM in-situ monitoring : The 5th International Workshop on Semiconductor Quantum Structures, Seoul, Korea (2004)

17
Invited

Y. Arakawa: Fabrication and optical properties of quantum dots for advanced photonic devices: The 1st Functionality of Organized Nanostructures(FON'04), Tsukuba, Japan (2004)

18
Invited

Y. Arakawa: Progress and Prospects of Quantum Dots for Nanophotonic Device Applications: Frontiers in Nanoscle Science and Technology, A Workshop on Coherent Electronics, Quantum Information Processing, Quantum Optoelectronics, Harvard, USA (2004)

19
Invited, Key Note

Y. Arakawa: Advances in Physics and Growth Technologies of Quantu, Dots for Nanophotonic Devices: 2004 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Brisbane, Australia(2004)

20
Invited, Plenary

Y. Arakawa: Advances in Physics and Growth Technologies of Quantu, Dots for Nanophotonic Devices: The 3rd Asian Conference on Chemical Vapro Deposition, Taipei, Taiwan (2004)

21
Invited

Y. Arakawa: Advances in Physics and Growth Technologies of Quantu, Dots for Nanophotonic Devices: The 6th RIES-Hokudai Symposium on Chou, Sapporo, Japan (2004)

22
Invited

Y. Arakawa: Progress in growth and optical properties of quantum dots for future photonic devices: The 31st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004), National University, Seoul, Korea (2004)

23

T. Sekitani, S. Iba, Y. Kato, T. Sakurai and T. Someya: Thermal Tolerance of Encapsulated Organic Field-Effect Transistors on Plastic Films:  International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, Toranomon Pastoral, Tokyo

24

Y.Kato, T.Sekitani, S.Iba, T.Sakurai, and T.Someya: Manufacturing process and characterization of organic diode-based sheet thermal sensors: Third International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE3),4O-A09、p134, National Center of Sciences (National Institute of Informatics), Tokyo

25

T.Someya: Recent Progresses and future prospects of organic transistor integrated circuits for large-area sensors: Japan-Germany Colloquium 2005 Semiconductor Physics and Technology, Dresden University of Technology, Germany

26

N. Kumagai, K. Watanabe, S. Iwamoto, S. Tsukamoto, and Y. Arakawa: Enhancement of photoluminescence intensity of InAs quantum dots by p-type modulation doping: International  Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-3 (Tokyo, Japan, March 7-8, 2005).

27

M. Kudo, T. Sato, T. Nakaoka, S. Iwamoto and Y. Arakawa: Closely-stacked InAs/GaSb quantum dots grown by molecular beam epitaxy: Int. Symp. Quantum dots and photonic crystals 2005

28
Invited

S.Tsukamoto A.Ishii, G.Bell, and Y.Arakawa: Atomic-scale studies of InAs quantum dots evolution mechanism on GaAs(001): The International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (ISQDPC2005), D-4, pp.14 , Tokyo, Japan (2004).

29

A.Ishii, S.Oshima, S.Tsukamoto and Y.Arakawa: Study for initial stage of InAs quantum dot formation on GaAs(001) using kinetic Monte Carlo simulation: The International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005 (ISQDPC2005), P-17, pp.38 , Tokyo, Japan (2004).

30

R. Hashimoto, M. Kushibe, M. Ezaki, S.H. Liu, M. Nishioka and Y. Arakawa: Enhancement of photoluminescence in InAs quantum dots structure with GaInNAs capping layer grown by MOCVD: International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2005, P-5, Tokyo, Japan: 2005

31

Tao Yang, Jun Tatebayashi, and Yasuhiko Arakawa: Formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with an ultranarrow photoluminescence linewidth of ~11 meV by rapid thermal annealing:  The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference, 8th - 12th May 2005, Glasgow, Scotland, UK (2005)

32

S.Iba, T.Sekitani, Y.Kato, T.Sakurai, T.Someya: Pentacene Field-effect Transistors with 230-nm-thick Polyimide Gate Dielectric Layers: 2005 MRS Spring Meeting, Moscone West Convention Center, H3.4, San Francisco, U.S.A: 2005

33

Y.Kato, T.Sekitani1, S.Iba, T.Sakurai, and T.Someya: Temperature Dependence of I-V Characteristics of Organic PN Diodes and Their Application to Sheet Thermal Sensors: 2005 MRS Spring Meeting, Moscone West Convention Center, H2.9, San Francisco, U.S.A.

34

A.Ishii, S.Tsukamoto, G.R.Bell, and Y.Arakawa: Initial stage of InAs quantum dot formation on GaAs(001) studies using kinetic Monte Carlo simulation: 13th International Congress on Thin Films / 8th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ICTF13/ACSIN 8),  Stockholm, SWEDEN (2005), to be presented


<国内会議>
1

加藤祐作、伊庭信吾、寺本亮平、関谷毅、染谷隆夫: 「ポリイミドをゲート絶縁膜に用いた有機トランジスタのAFM評価」: 文部科学省世界最先端IT国家実現重点研究開発プロジェクト「光・電子デバイス 技術の開発」等3プ ロ ジェクト共同による合同成果報告シンポジウムフォトニック結晶と量子ドット, 主婦会館プラザエフ, 東京: 2004

2

櫛部光弘、橋本玲、 江崎瑞仙、 高岡圭児、 石川正行、西岡政雄、 荒川泰彦: MOCVD法によるGaInNAs系量子構造の成長: 合同成果報告シンポジウムフォトニック結晶と量子ドット、P-4,p.p. 91-92, 東京、2004

3

Y. Arakawa: Progress in GaN-based quantum dots: Taiwan Nationa University, Special Lecture, Taiwan (2004)

4

荒川泰彦、北村雅季: 有機トランジスタの高集積化と特性評価: 技術情報協会 有機トランジスタにおける作製、性能評価と高集積化、東京 (2004): 2004

5

K. Hoshino and Y. Arakawa: Stranski-Krastanow growth of high-density (~ 2*10^11 cm^-2) GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition: 23rd Electronic Materials Symposium, I10, p. 271, Izu-Nagaoka (2004)

6

角田 浩二,館林 潤,西岡 政雄,荒川 泰彦: InP(100)基板上のInAs量子ドットのアニール効果: 第65回応用物理学会学術講演会, 1p-2P-8 , p 265,東北学院大学 (2004)

7

Mingsheng  Xu, Shiro Tsukamoto, Satomi Ishida, Masatoshi Kitamura, and Yasuhiko Arakawa: Ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy study on thiolated oligonucleotides on Au (111) surface: 第65回応用物理学会学術講演会, 3a-ZT-7,東北学院大学 (2004)

8

楊 涛,館林 潤,荒川 泰彦: InAs量子ドットにおける狭PL半値幅(~ 11 meV)の実現: 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZK-12 (2004): 2004

9

高山俊雄、北村雅季、工藤一秋、小林恭、荒川泰彦: 可溶性Alq3型高分子錯体を用いた湿式積層薄膜のEL特性: 第65回応用物理学会学術講演会, 4a-ZR-2, p1184, 東北学院大学(2004).

10

熊谷直人、渡辺克之、塚本史郎、荒川泰彦: MBE法によるInAs量子ドットへのBe添加の影響: 2004年(平成16年)秋季 第65回応用物理学会学術講演会、仙台、東北学院大学(講演番号:1p-P2-16I (2004)

11

渡邉克之、西岡政雄、荒川泰彦: MBE法によるGaIn(N)As系積層量子ドットの作製: 第65回応用物理学会学術講演会、3p-V-4、p72、東北学院大学 (2004)

12

福田達也, 館林潤, 西岡政雄, 荒川泰彦: 室温1.5 mm帯における高均一(<16 meV)自己形成InAs量子ドットの作製: 2004年秋季応用物理学会、3p-ZK-7、p1236 、東北学院大学(2004)

13

C. O. Tang、北村 雅季、荒川 泰彦: グレインサイズ制御によるペンタセン薄膜トランジスタの高移動度化: 第65回応用物理学会学術講演会、3a-ZR-2、1173、東北学院大学(2004)

14

工藤真, 中岡俊裕,岩本敏,荒川泰彦: GaAs基板上InAs/GaSb積層量子ドットのMBE成長: 2004 年秋季応用物理学会、1p-P2-3、263、東北学院大学 (2004)

15

工藤真, 中岡俊裕,岩本敏,荒川泰彦: MBE法によるGaInAsSb系量子ドットの自己形成: 2004 年秋季応用物理学会、3p-V-6、73、東北学院大学 (2004)

16

加藤祐作、伊庭信吾、関谷毅、染谷隆夫: ポリイミドゲート絶縁膜を用いたペンタセンFETのin-situプロセスによるon/off比の改善」(Enhancement of on/off ratio of pentacene FETs with polyimide gate insulators by in-situ process): 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZR, p1168 , 東北学院大学 泉キャンパス, 仙台市泉区: 2004

17

関谷 毅, 伊庭 信吾, 加藤 祐作, 染谷 隆夫: 「PENフィルム上に形成された有機トランジスタの折り曲げ試験」(Bending test for organic field-effect transistors on PEN films): 第65回応用物理学会学術講演会, 2p-ZR, p1167 , 東北学院大学 泉キャンパス, 仙台市泉区: 2004

18

塚本史郎、小口信行、荒川泰彦: GaAs(001)面上InAs量子ドットMBE成長時その場STM観察(シンポジウム講演): 2004年(平成16年)秋季 第65回応用物理学会学術講演会、東北学院大学 泉キャンパス(宮城県仙台市), 4J26, p.A-452, (2004)

19

塚本史郎、荒川泰彦: InAs Wetting Layer表面構造のその場STM高温観察: 2004年(平成16年)秋季 第65回応用物理学会学術講演会、東北学院大学 泉キャンパス(宮城県仙台市), 2a-V-2, p.I-331 (2004)

20

高宮郁子、塚本史郎、宮下直樹、有澤光弘、下田正彦、荒川泰彦、西田篤司: 新規GaAs担持型パラジウム触媒の合成と機能: 第94回触媒討論会、東北大学川内北キャンパス(宮城県仙台市), 3p-V-11, p.0-75 (2004)

21

橋本玲、櫛部光弘、 江崎瑞仙、 呂学翰、蔡佳倫、西岡政雄、 荒川泰彦: GaAs基板上InAs量子ドットの熱アニール処理によるサイズ均一化: 2004年秋季応用物理学会学術講演会,1p-P2-12,p.266,仙台 (2004)

22

柳平康輔、齋藤真澄、平本俊郎: ダブルゲート型シリコンナノクリスタルメモリの電荷保持特性: 2004年秋季第65回応用物理学学術講演会,東北学院大学(宮城),1p-L-10: 2004

23

染谷隆夫、関谷毅、伊庭信吾、加藤祐作: 有機トランジスタにおける曲げ試験と歪効果: 特定領域研究「新しい環境下における分子性導体の得意な機能の探索」ハイブリッド系に関するワンデイシンポジウム, 東京工業大学百年記念館, 東京: 2004

24

井上貴博、戸田泰則、 中岡俊裕、 館林潤、 石田悟己、 荒川泰彦: 干渉相関分光による単一自己形成量子ドットの非ローレンツ型発光の観測: 第52回応用物理学関係連合講演会, 31aV19, 埼玉大学 (2005)

25

高山俊雄,北村雅季,工藤一秋,小林恭,荒川泰彦: 高いAlq3含有率をもつ可溶性高分子錯体の合成とそのEL特性: 第52回応用物理学関連連合講演会, 31p-YG-15, p14, 埼玉大学 (2004)

26

熊谷直人、渡辺克之、塚本史郎、岩本聡、荒川泰彦: MBE法による変調ドープp-InAs量子ドットのPL強度増加 : 第52回応用物理学関係連合講演会,30a-ZM-11, 埼玉大学 (2005)

27

楊 涛、館林 潤、西岡政雄、荒川泰彦: MOCVD法InAs/GaAs積層量子ドット構造におけるGaAs表面モフォロジーの改善: 2005年(平成17年)春季第52回応用物理学関係連合講演会、30a-ZM-7、埼玉大学、(2005)

28

福田達也, 館林潤, 西岡政雄, 荒川泰彦: 1.5um帯InAs/GaAs量子ドットにおける発光強度の改善 -供給量依存性の検討-: 2005年春季応用物理学会、31a-V-21、p1574 、埼玉大学(2004)

29

高宮郁子、有澤光弘、塚本史郎、下田正彦、荒川泰彦、西田篤司: 半導体担持型パラジウム触媒の開発とその機能: 日本薬学会第125年会、東京ビッグサイト(東京都江東区)、31-0361(口頭発表)、W15-15(ポスター発表)、要旨集 4 P78 (2004)

30

高宮郁子、有澤光弘、塚本史郎、下田正彦、荒川泰彦、西田篤司: GaAs基板担持型新規Pd触媒の開発と有機合成反応への応用: 日本化学会第85春季年会、神奈川大学横浜キャンパス(神奈川県横浜市)、2PB-166 (2004)

31

石井晃、大島俊輔、塚本史郎、荒川泰彦: GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究: 日本物理学会第60回年次大会、東京理科大学野田キャンパス(千葉県野田市)、25aXC-2、第60巻1号、第4分冊p.856 (2004)

32

塚本史郎、石井晃、大島俊輔、荒川泰彦: InAs 量子ドット発生メカニズムの実験的・理論的解析: 2005年(平成17年)春季 第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学 (埼玉県さいたま市), 29p-ZM-7, p.I-465 (2004)

33

櫛部光弘、橋本 玲、 江崎瑞仙、波多腰 玄一、 呂学翰、蔡佳倫、西岡政雄、 荒川泰彦: GaAs基板上高In組成GaInNAs混晶のバンドギャップの検討: 2005年春季応用物理学会関係連合講演会,31p-ZM-9,p.367,埼玉 (2005)

34

小林正治、齋藤真澄、平本俊郎: 室温動作シリコン単正孔トランジスタにおけるクーロン振動の温度依存性: 2005年春季第52回応用物理学学術講演会,埼玉大学(埼玉),1a-P6-20

35

関谷毅,加藤祐作,伊庭信吾,桜井貴康、染谷隆夫: ポリイミドをゲート絶縁膜に用いた有機トランジスタの耐熱性能: 有機エレクトロニクス研究会(電子情報通信学会,5月OME研究会)

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